福建工程学院科研平台学术活动安排表

平台名称：微电子技术研究中心

时间

2019年5月21日15:00至16:30

地点

C2-218会议室

主持人

黄诗浩

联系电话

18159187396

主题

N型掺杂应变Ge发光性质的研究

主要内容

N型掺杂应变Ge发光性质应变锗材料具有准直接带特性，而且与标准硅工艺兼容，成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一。基于van de Walle形变势理论，计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及载流子在导带中的分布;通过分析载流子直接带和间接带问的辐射复合以及俄歇复合、位错等引起的非辐射复合的竞争，计算了N型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光性质。结果表明，张应变可有效增强Ge材料直接带隙跃迁发光。在1.5%张应变条件下，N型掺杂Ge的最大内量子效率可以达到74.6%，光增益可以与Ⅲ-V族材料相比拟。